从开源的设计中我们可以看到，I2C的上拉电阻可以是1.5K，2.2K，4.7K，然而电阻的大小对时序有一定影响，对信号的上升时间和下降时间也有影响，一般接1.5K 或2.2K。

上拉电阻阻值的确定：

由于I2C 接口采用Open Drain 机制，器件本身只能输出低电平，无法主动输出高电平，只能通过外部上拉电阻RP 将信号线拉至高电平。因此I2C 总线上的上拉电阻是必须的！

RP 不宜过小，一般不低于1KΩ。

    一般IO 端口的驱动能力在2mA～4mA 量级。如果RP 阻值过小，VDD 灌入端口的电流将较大，这导致端口输出的低电平值增大(I2C 协议规定，端口输出低电平的最高允许值为0.4V)；如果灌入端口的电流过大，还可能损坏端口。故通常上拉电阻应选取不低于1KΩ的电阻（当VDD＝3V 时，灌入电流不超过3mA）。

RP不宜过大，一般不高于10KΩ

    由于端口输出高电平是通过RP 实现的，线上电平从低到高变化时，电源通过RP 对线上负载电容CL 充电，这需要一定的时间，即上升时间。端口信号的上升时间可近似用充电时间常数RPCL 乘积表示。信号线负载电容（对地）由多方面组成，包括器件引脚、PCB 信号线、连接器等。如果信号线上挂有多个器件，负载电容也会增大。比如总线规定，对于的400kbps 速率应用，信号上升时间应小于300ns；假设线上CL 为20PF，可计算出对应的RP 值为15KΩ。如果RC 充电时间常数过大，将使得信号上升沿变化缓慢，达不到数据传输的要求。因此一般应用中选取的都是几KΩ量级的上拉电阻，比如都选取4K7 的电阻。

I2C 上拉电阻计算公式：

Rmin＝{Vdd(min)-o.4V}/3mA

Rmax=(T/0.874) *c, T=1us 100KHz, T=0.3us 400KHz   。（C 是Bus capacitance）

上拉电阻Rp最大值由总线最大容限（Cbmax)决定,Rp 最小值由上拉电源Vio与上拉驱动电流（最大取3mA)决定；于是Rpmin=5V/3mA≈1.7K(@Vio=5V)或者2.8V/3mA≈1K(@Vio=2.8V)

Rpmax 的取值：参考周立公的I2C 总线规范中文版P33 图39 与P35 图44

    标准模式，100Kbps 总线的负载最大容限<=400pF；快速模式，400Kbps 总线的负载最大容限<=200pF,根据具体使用情况、目前的器件制造工艺、PCB 的走线距离等因素以及标准的向下兼容性，设计中以快速模式为基础，即总线负载电容<200pF，也就是传输速度可以上到400Kbps 是不成问题的。于是Rpmax 可以取的范围是1.8K~7K @ Vio=5V 对应50pF~200pF。根据Rpmin 与Rpmax 的限制范围，一般取5.1K @ Vio=5V , 负载容限的环境要求也容易达到。在2.8V 系统中，console 设计选3.3K,portable/handset 等低供耗的设计选4.7K 牺牲速度换取电池使用时间。

总的来说：电源电压限制了上拉电阻的最小值；负载电容（总线电容）限制了上拉电阻的最大值。

补充：在I2c 总线可以串连300 欧姆电阻RS 可以用于防止SDA 和SCL 线的高电压毛刺。

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